TPH6R003NL,LQ

MOSFET N CH 30V 38A 8SOP
TPH6R003NL,LQ P1
TPH6R003NL,LQ P2
TPH6R003NL,LQ P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TPH6R003NL,LQ

Artikelnummer
TPH6R003NL,LQ
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N CH 30V 38A 8SOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer TPH6R003NL,LQ
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 38A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 200µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.6W (Ta), 34W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 19A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOP Advance (5x5)
Paket / Fall 8-PowerVDFN

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