Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
| Numero di parte | TPH6R30ANL,L1Q |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 66A (Ta), 45A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3 mOhm @ 22.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 500µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4300pF @ 50V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 54W (Tc) |
| temperatura di esercizio | 150°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP Advance (5x5) |
| Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPH6R003NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 30V 38A 8SOP | - | 0 | Dettagli |
|
TPH6R004PL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | - | 200444 | Dettagli |
|
TPH6R30ANL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | - | 155257 | Dettagli |