TSM600P03CS RLG

MOSFET P-CHANNEL 30V 4.7A 8SOP
TSM600P03CS RLG P1
TSM600P03CS RLG P1
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Taiwan Semiconductor Corporation ~ TSM600P03CS RLG

Artikelnummer
TSM600P03CS RLG
Hersteller
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung
MOSFET P-CHANNEL 30V 4.7A 8SOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer TSM600P03CS RLG
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 4.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 9.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 560pF @ 15V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.1W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOP
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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