TSM600N25ECH C5G

MOSFET N-CHANNEL 250V 8A TO251
TSM600N25ECH C5G P1
TSM600N25ECH C5G P1
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Taiwan Semiconductor Corporation ~ TSM600N25ECH C5G

Artikelnummer
TSM600N25ECH C5G
Hersteller
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 250V 8A TO251
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer TSM600N25ECH C5G
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 250V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 8.4nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 423pF @ 25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 52W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-251 (IPAK)
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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