TSM600P03CS RLG

MOSFET P-CHANNEL 30V 4.7A 8SOP
TSM600P03CS RLG P1
TSM600P03CS RLG P1
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Taiwan Semiconductor Corporation ~ TSM600P03CS RLG

Numero di parte
TSM600P03CS RLG
fabbricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrizione
MOSFET P-CHANNEL 30V 4.7A 8SOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- TSM600P03CS RLG PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte TSM600P03CS RLG
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.6nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 560pF @ 15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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