Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | RN142ZS8ATE61 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | PIN - 4 Independent |
| Spannung - Spitzenrücklauf (Max) | 30V |
| Strom - max | 50mA |
| Kapazität @ Vr, F | 0.45pF @ 1V, 1MHz |
| Widerstand @ If, F | 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz |
| Verlustleistung (Max) | - |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Paket / Fall | HMD8 |
| Lieferantengerätepaket | 8-HMD (1.6x0.8) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1421TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI | - | 0 | Einzelheiten |
 |
RN1422TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI | - | 0 | Einzelheiten |
 |
RN1423TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI | - | 0 | Einzelheiten |
 |
RN1424TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI | - | 0 | Einzelheiten |
 |
RN1425TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI | - | 0 | Einzelheiten |
 |
RN1426TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI | - | 0 | Einzelheiten |
 |
RN1427TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI | - | 0 | Einzelheiten |
 |
RN142GT2R | Rohm Semiconductor | PIN DIODE 60V 100MA VMD2 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
RN142STE61 | Rohm Semiconductor | DIODE PIN 60V 100MA EMD2 TR | - | 0 | Einzelheiten |
 |
RN142VTE-17 | Rohm Semiconductor | DIODE PIN 60V UMD | 0 | Einzelheiten | |
 |
RN142ZS12ATE61 | Rohm Semiconductor | DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD12 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
RN142ZS8ATE61 | Rohm Semiconductor | DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD8 | - | 0 | Einzelheiten |