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Rohm Semiconductor ~ RN142VTE-17

Artikelnummer	RN142VTE-17
Teilstatus	Not For New Designs
Dioden-Typ	PIN - Single
Spannung - Spitzenrücklauf (Max)	60V
Strom - max	100mA
Kapazität @ Vr, F	0.45pF @ 1V, 1MHz
Widerstand @ If, F	3 Ohm @ 3mA, 100MHz
Verlustleistung (Max)	-
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Paket / Fall	SC-90, SOD-323F
Lieferantengerätepaket	UMD2

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
RN1401,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI	-	3000	Einzelheiten
RN1402,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI	-	15000	Einzelheiten
RN1402S,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI	-	0	Einzelheiten
RN1403,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	X34 PB-F S-MINI PLN LF TRANSIS	-	1704455	Einzelheiten
RN1404,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	X34 PB-F S-MINI PLN LF TRANSIS	-	1704455	Einzelheiten
RN1404S,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI	-	3000	Einzelheiten
RN1405,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI	-	3000	Einzelheiten
RN1406,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI	-	3000	Einzelheiten
RN1406S,LF(D	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PREBIAS NPN 0.2W SMINI	-	0	Einzelheiten
RN1408,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI	-	1891989	Einzelheiten
RN1408,LF(B	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI	-	0	Einzelheiten
RN1409,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI	-	9000	Einzelheiten