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| Numero di parte | RN142ZS8ATE61 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | PIN - 4 Independent |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 30V |
| Corrente - max | 50mA |
| Capacità @ Vr, F | 0.45pF @ 1V, 1MHz |
| Resistenza @ Se, F | 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Pacchetto / caso | HMD8 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-HMD (1.6x0.8) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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RN1421TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI | - | 0 | Dettagli |
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RN1422TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI | - | 0 | Dettagli |
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RN1423TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI | - | 0 | Dettagli |
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RN1424TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI | - | 0 | Dettagli |
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RN1425TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI | - | 0 | Dettagli |
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RN1426TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI | - | 0 | Dettagli |
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RN1427TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI | - | 0 | Dettagli |
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RN142GT2R | Rohm Semiconductor | PIN DIODE 60V 100MA VMD2 | - | 0 | Dettagli |
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RN142STE61 | Rohm Semiconductor | DIODE PIN 60V 100MA EMD2 TR | - | 0 | Dettagli |
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RN142VTE-17 | Rohm Semiconductor | DIODE PIN 60V UMD | 0 | Dettagli | |
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RN142ZS12ATE61 | Rohm Semiconductor | DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD12 | - | 0 | Dettagli |
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RN142ZS8ATE61 | Rohm Semiconductor | DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD8 | - | 0 | Dettagli |