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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IRFH5210TRPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta), 55A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2570pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 3.6W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 14.9 mOhm @ 33A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PQFN (5x6) |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IRFH5004TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN | 0 | Einzelheiten | |
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IRFH5004TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN | 0 | Einzelheiten | |
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IRFH5006TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN | 0 | Einzelheiten | |
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IRFH5006TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN | 0 | Einzelheiten | |
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IRFH5007TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN | 0 | Einzelheiten | |
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IRFH5007TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN | 0 | Einzelheiten | |
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IRFH5010TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFN | 0 | Einzelheiten | |
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IRFH5010TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN | 0 | Einzelheiten | |
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IRFH5015TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN | 0 | Einzelheiten | |
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IRFH5015TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN | 0 | Einzelheiten | |
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IRFH5020TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN | 0 | Einzelheiten | |
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IRFH5020TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN | 0 | Einzelheiten |