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| Numero di parte | IRFH5210TRPBF |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta), 55A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2570pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.6W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.9 mOhm @ 33A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PQFN (5x6) |
| Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IRFH5004TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN | 0 | Dettagli | |
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IRFH5004TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN | 0 | Dettagli | |
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IRFH5006TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN | 0 | Dettagli | |
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IRFH5006TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN | 0 | Dettagli | |
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IRFH5007TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN | 0 | Dettagli | |
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IRFH5007TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN | 0 | Dettagli | |
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IRFH5010TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFN | 0 | Dettagli | |
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IRFH5010TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN | 0 | Dettagli | |
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IRFH5015TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN | 0 | Dettagli | |
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IRFH5015TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN | 0 | Dettagli | |
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IRFH5020TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN | 0 | Dettagli | |
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IRFH5020TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN | 0 | Dettagli |