IRFH5010TRPBF

MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN
IRFH5010TRPBF P1
IRFH5010TRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRFH5010TRPBF

Artikelnummer
IRFH5010TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRFH5010TRPBF.pdf IRFH5010TRPBF PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRFH5010TRPBF
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 13A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4340pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 3.6W (Ta), 250W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 50A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PQFN (5x6)
Paket / Fall 8-PowerVDFN

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