Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
Parça numarası | C3M0065100J-TR |
---|---|
Parça Durumu | Active |
FET Tipi | N-Channel |
teknoloji | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 1000V |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 35A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 78 mOhm @ 20A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 15V |
Vgs (Maks.) | +15V, -4V |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 600V |
FET Özelliği | - |
Güç Dağılımı (Maks.) | 113.5W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Aygıt Paketi | TO-263-7 |
Paket / Durum | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |