SISS08DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25 V POWERPAK 1212
SISS08DN-T1-GE3 P1
SISS08DN-T1-GE3 P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Vishay Siliconix ~ SISS08DN-T1-GE3

Parça numarası
SISS08DN-T1-GE3
Üretici firma
Vishay Siliconix
Açıklama
MOSFET N-CHAN 25 V POWERPAK 1212
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- SISS08DN-T1-GE3 PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tekli
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası SISS08DN-T1-GE3
Parça Durumu Active
FET Tipi N-Channel
teknoloji MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 25V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 53.9A (Ta), 195.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 1.23 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82nC @ 10V
Vgs (Maks.) +20V, -16V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 3670pF @ 12.5V
FET Özelliği -
Güç Dağılımı (Maks.) 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi Surface Mount
Tedarikçi Aygıt Paketi PowerPAK® 1212-8S
Paket / Durum PowerPAK® 1212-8S

ilgili ürünler

Tüm ürünler