Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | SIJ186DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 60V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 23A (Ta), 79.4A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 1710pF @ 30V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 5W (Ta), 57W (Tc) |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | PowerPAK® SO-8 |
| Paket / Durum | PowerPAK® SO-8 |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIJ186DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8L | - | 121692 | ayrıntılar |
 |
SIJ188DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 60-V POWERPAK SO-8 | - | 89241 | ayrıntılar |