Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | SIHU7N60E-E3 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 600V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 7A (Tc) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 100V |
| Vgs (Maks.) | ±30V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 78W (Tc) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3.5A, 10V |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Through Hole |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | TO-251 |
| Paket / Durum | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHU2N80E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK | - | 37634 | ayrıntılar |
 |
SIHU3N50D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIHU3N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIHU3N50DA-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK | - | 167480 | ayrıntılar |
 |
SIHU4N80E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 800V TO-251 | - | 29800 | ayrıntılar |
 |
SIHU5N50D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIHU5N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIHU6N62E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 620V 6A TO-251 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIHU6N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 6A IPAK | - | 3000 | ayrıntılar |
 |
SIHU6N80E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 800V TO-251 | - | 25626 | ayrıntılar |
 |
SIHU7N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 7A TO-251 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIHU7N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 7A TO-251 | - | 0 | ayrıntılar |