Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | SIHG35N60EF-GE3 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 600V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 32A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 97 mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 134nC @ 10V |
| Vgs (Maks.) | ±30V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 2568pF @ 100V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 250W (Tc) |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Through Hole |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | TO-247AC |
| Paket / Durum | TO-247-3 |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG30N60AEL-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 600V TO-247AC | - | 9009 | ayrıntılar |
 |
SIHG30N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIHG30N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC | - | 498 | ayrıntılar |
 |
SIHG32N50D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIHG32N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC | - | 1151 | ayrıntılar |
 |
SIHG33N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC | - | 15218 | ayrıntılar |
 |
SIHG33N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC | - | 417 | ayrıntılar |
 |
SIHG33N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC | - | 450 | ayrıntılar |
 |
SIHG33N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC | - | 500 | ayrıntılar |
 |
SIHG33N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 31.6A TO-247AC | - | 499 | ayrıntılar |
 |
SIHG35N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC | - | 500 | ayrıntılar |
 |
SIHG35N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH TO-247AC | - | 8432 | ayrıntılar |