Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | SIHB22N60ET1-GE3 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 600V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 21A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
| Vgs (Maks.) | ±30V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 1920pF @ 100V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 227W (Tc) |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | TO-263 (D²Pak) |
| Paket / Durum | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHB22N60AE-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 20A TO263 | - | 400 | ayrıntılar |
|
SIHB22N60AEL-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 600V | - | 13983 | ayrıntılar |
 |
SIHB22N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK | - | 463 | ayrıntılar |
 |
SIHB22N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK | - | 0 | ayrıntılar |
|
SIHB22N60EL-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A TO263 | - | 28135 | ayrıntılar |
|
SIHB22N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A TO263 | - | 29401 | ayrıntılar |
|
SIHB22N60ET5-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A TO263 | - | 26969 | ayrıntılar |
 |
SIHB22N60S-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK | - | 0 | ayrıntılar |
|
SIHB22N60S-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V TO263 | - | 6480 | ayrıntılar |
 |
SIHB22N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK | - | 30 | ayrıntılar |