SIHA22N60AEL-GE3

MOSFET N-CHAN 600V
SIHA22N60AEL-GE3 P1
SIHA22N60AEL-GE3 P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Vishay Siliconix ~ SIHA22N60AEL-GE3

Parça numarası
SIHA22N60AEL-GE3
Üretici firma
Vishay Siliconix
Açıklama
MOSFET N-CHAN 600V
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- SIHA22N60AEL-GE3 PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tekli
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası SIHA22N60AEL-GE3
Parça Durumu Active
FET Tipi N-Channel
teknoloji MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 600V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82nC @ 10V
Vgs (Maks.) ±30V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 1757pF @ 100V
FET Özelliği -
Güç Dağılımı (Maks.) 35W (Tc)
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi Through Hole
Tedarikçi Aygıt Paketi TO-220 Full Pack
Paket / Durum TO-220-3 Full Pack

ilgili ürünler

Tüm ürünler