SIHA120N60E-GE3

MOSFET N-CHAN E SERIES 600V THIN
SIHA120N60E-GE3 P1
SIHA120N60E-GE3 P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Vishay Siliconix ~ SIHA120N60E-GE3

Parça numarası
SIHA120N60E-GE3
Üretici firma
Vishay Siliconix
Açıklama
MOSFET N-CHAN E SERIES 600V THIN
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- SIHA120N60E-GE3 PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tekli
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası SIHA120N60E-GE3
Parça Durumu Active
FET Tipi N-Channel
teknoloji MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 600V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Vgs (Maks.) ±30V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 1562pF @ 100V
FET Özelliği -
Güç Dağılımı (Maks.) 34W (Tc)
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi Through Hole
Tedarikçi Aygıt Paketi TO-220 Full Pack
Paket / Durum TO-220-3 Full Pack

ilgili ürünler

Tüm ürünler