Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | SIA431DJ-T1-GE3 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | P-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 20V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 12A (Tc) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 8V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 10V |
| Vgs (Maks.) | ±8V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Paket / Durum | PowerPAK® SC-70-6 |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA430DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6 | - | 3000 | ayrıntılar |
 |
SIA430DJ-T4-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V SC-70-6 | - | 6084 | ayrıntılar |
|
SIA430DJT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6 | - | 323255 | ayrıntılar |
|
SIA430DJT-T4-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 12A SC-70-6 | - | 332090 | ayrıntılar |
 |
SIA431DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 | - | 3000 | ayrıntılar |
 |
SIA432DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIA433EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIA436DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIA437DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 29.7A SC70-6 | - | 33000 | ayrıntılar |
 |
SIA438EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6L | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIA439EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L | - | 0 | ayrıntılar |