Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | SI3477DV-T1-GE3 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | P-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 12V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 8A (Tc) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 6V |
| Vgs (Maks.) | ±10V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 2W (Ta), 4.2W (Tc) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 17.5 mOhm @ 9A, 4.5V |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | 6-TSOP |
| Paket / Durum | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3473CDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI3473CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI3473DDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP | - | 412864 | ayrıntılar |
 |
SI3473DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI3473DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI3474DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 3.8A TSOP-6 | - | 6000 | ayrıntılar |
 |
SI3475DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI3475DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI3476DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 4.6A TSOP-6 | - | 12000 | ayrıntılar |
 |
SI3477DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP | - | 3000 | ayrıntılar |