Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | SI3460DV-T1-E3 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 20V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 5.1A (Ta) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 1mA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Maks.) | ±8V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 1.1W (Ta) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | 6-TSOP |
| Paket / Durum | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3460-E02-GM | Silicon Labs | IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN | 0 | ayrıntılar | |
 |
SI3460-E02-GMR | Silicon Labs | IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN | 0 | ayrıntılar | |
 |
SI3460-E03-GM | Silicon Labs | IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN | 0 | ayrıntılar | |
 |
SI3460-E03-GMR | Silicon Labs | IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN | 0 | ayrıntılar | |
 |
SI3460BDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP | - | 12000 | ayrıntılar |
 |
SI3460BDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI3460DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP | - | 3000 | ayrıntılar |
 |
SI3460DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI3461-E01-GM | Silicon Labs | IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN | 0 | ayrıntılar | |
 |
SI3461-E01-GMR | Silicon Labs | IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN | 0 | ayrıntılar | |
 |
SI3461-E02-GM | Silicon Labs | IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN | 0 | ayrıntılar |