EGL34BHE3_A/I

DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213
EGL34BHE3_A/I P1
EGL34BHE3_A/I P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Vishay Semiconductor Diodes Division ~ EGL34BHE3_A/I

Parça numarası
EGL34BHE3_A/I
Üretici firma
Vishay Semiconductor Diodes Division
Açıklama
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- EGL34BHE3_A/I PDF online browsing
Aile
Diyotlar - Doğrultucular - Tek
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası EGL34BHE3_A/I
Parça Durumu Active
Diyot Türü Standard
Gerilim - DC Geri (Vr) (Maks) 100V
Akım - Ortalama Düzeltilmiş (Io) 500mA
Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ If 1.25V @ 500mA
hız Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Tutma Süresi (trr) 50ns
Akım - Geriye Ters Kaçak @ Vr 5µA @ 100V
Kapasitans @ Vr, F 7pF @ 4V, 1MHz
Montaj tipi Surface Mount
Paket / Durum DO-213AA (Glass)
Tedarikçi Aygıt Paketi DO-213AA (GL34)
Çalışma Sıcaklığı - Bağlantı -65°C ~ 175°C

ilgili ürünler

Tüm ürünler