Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | RN142ZS12ATE61 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| Diyot Türü | PIN - 6 Independent |
| Gerilim - Tepe Geriye (Maks) | 30V |
| Şu an - Max | 50mA |
| Kapasitans @ Vr, F | 0.45pF @ 1V, 1MHz |
| Direnç @ If, F | 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz |
| Güç Dağılımı (Maks.) | - |
| Çalışma sıcaklığı | 150°C (TJ) |
| Paket / Durum | 12-XFDFN |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | HMD12 (2.4x0.8) |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1421TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI | - | 0 | ayrıntılar |
 |
RN1422TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI | - | 0 | ayrıntılar |
 |
RN1423TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI | - | 0 | ayrıntılar |
 |
RN1424TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI | - | 0 | ayrıntılar |
 |
RN1425TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI | - | 0 | ayrıntılar |
 |
RN1426TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI | - | 0 | ayrıntılar |
 |
RN1427TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI | - | 0 | ayrıntılar |
 |
RN142GT2R | Rohm Semiconductor | PIN DIODE 60V 100MA VMD2 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
RN142STE61 | Rohm Semiconductor | DIODE PIN 60V 100MA EMD2 TR | - | 0 | ayrıntılar |
 |
RN142VTE-17 | Rohm Semiconductor | DIODE PIN 60V UMD | 0 | ayrıntılar | |
 |
RN142ZS12ATE61 | Rohm Semiconductor | DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD12 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
RN142ZS8ATE61 | Rohm Semiconductor | DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD8 | - | 0 | ayrıntılar |