MJD112-1G

TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
MJD112-1G P1
MJD112-1G P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

ON Semiconductor ~ MJD112-1G

Parça numarası
MJD112-1G
Üretici firma
ON Semiconductor
Açıklama
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- MJD112-1G PDF online browsing
Aile
Transistörler - Bipolar (BJT) - Tek
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası MJD112-1G
Parça Durumu Active
Transistör Tipi NPN - Darlington
Akım - Kollektör (Ic) (Maks.) 2A
Voltaj - Kollektör Verici Dağılımı (Maks.) 100V
Vce Doygunluk (Maks) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Akım - Kollektör Kesilmesi (Maks.) 20µA
DC Akım Kazancı (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V
Maksimum güç 1.75W
Frekans - Geçiş 25MHz
Çalışma sıcaklığı -65°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi Through Hole
Paket / Durum TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Tedarikçi Aygıt Paketi I-Pak

ilgili ürünler

Tüm ürünler