Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | 74HCT4351DB,118 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| Anahtar Devresi | - |
| Çoklayıcı / Demultiplekser Devresi | 8:1 |
| Devre Sayısı | 1 |
| Devlet Direniş (Maks) | 120 Ohm |
| Kanaldan Kanalla Eşleştirme (Delta Ron) | 6 Ohm |
| Gerilim - Besleme, Tek (V +) | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Gerilim - Besleme, Çift (V ±) | ±1 V ~ 5 V |
| Anahtar Süresi (Ton, Toff) (Maks.) | 35ns, 23ns |
| -3dB Bant Genişliği | 170MHz |
| Şarj Enjeksiyonu | - |
| Kanal Kapasitesi (CS (kapalı), CD (kapalı)) | 3.5pF |
| Akım - Sızıntı (IS (kapalı)) (Maks.) | 100nA |
| Diyafoni | - |
| Çalışma sıcaklığı | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Paket / Durum | 20-SSOP (0.209", 5.30mm Width) |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | 20-SSOP |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
74HCT00BQ,115 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-DHVQFN | 0 | ayrıntılar | |
 |
74HCT00BQ-Q100,115 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-DQFN | 0 | ayrıntılar | |
 |
74HCT00D | Toshiba Semiconductor and Storage | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC | - | 813637 | ayrıntılar |
 |
74HCT00D(BJ) | Toshiba Semiconductor and Storage | IC GATE NAND QUAD 2 IN 14SOIC | - | 2500 | ayrıntılar |
 |
74HCT00D,652 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SO | 7981 | ayrıntılar | |
 |
74HCT00D,653 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SO | 0 | ayrıntılar | |
 |
74HCT00D-Q100,118 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SO | 0 | ayrıntılar | |
 |
74HCT00D/AUJ | NXP USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SO | 0 | ayrıntılar | |
 |
74HCT00DB,112 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SSOP | 112 | ayrıntılar | |
 |
74HCT00DB,118 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SSOP | 0 | ayrıntılar | |
 |
74HCT00N,652 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-DIP | 0 | ayrıntılar | |
 |
74HCT00PW,112 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-TSSOP | 0 | ayrıntılar |