Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | APTM100DA18CT1G |
|---|---|
| Parça Durumu | Obsolete |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 1000V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 40A |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 570nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 14800pF @ 25V |
| Vgs (Maks.) | ±30V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 657W (Tc) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 216 mOhm @ 33A, 10V |
| Çalışma sıcaklığı | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Chassis Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | SP1 |
| Paket / Durum | SP1 |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
APTM100A12STG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W | 0 | ayrıntılar | |
|
APTM100A13DG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
APTM100A13SCG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 | - | 4 | ayrıntılar |
 |
APTM100A13SG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 | - | 46 | ayrıntılar |
 |
APTM100A18FTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4 | - | 0 | ayrıntılar |
|
APTM100A23SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 | 0 | ayrıntılar | |
|
APTM100A23STG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 | - | 0 | ayrıntılar |
|
APTM100A40FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1 | - | 0 | ayrıntılar |
|
APTM100A46FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1 | 0 | ayrıntılar | |
 |
APTM100AM90FG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6 | - | 0 | ayrıntılar |
|
APTM100DA18CT1G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 | - | 0 | ayrıntılar |
|
APTM100DA18T1G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 | 0 | ayrıntılar |