MKI50-12F7

MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 65A E2
MKI50-12F7 P1
MKI50-12F7 P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

IXYS ~ MKI50-12F7

Parça numarası
MKI50-12F7
Üretici firma
IXYS
Açıklama
MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 65A E2
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- MKI50-12F7 PDF online browsing
Aile
Transistörler - IGBT'ler - Modüller
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası MKI50-12F7
Parça Durumu Active
IGBT Tipi NPT
Yapılandırma Full Bridge Inverter
Voltaj - Kollektör Verici Dağılımı (Maks.) 1200V
Akım - Kollektör (Ic) (Maks.) 65A
Maksimum güç 350W
Vce (açık) (Maks) @ Vge, Ic 3.8V @ 15V, 50A
Akım - Kollektör Kesilmesi (Maks.) 700µA
Giriş Kapasitesi (Cies) @ Vce 3.3nF @ 25V
Giriş Standard
NTC Termistor No
Çalışma sıcaklığı -40°C ~ 125°C (TJ)
Montaj tipi Chassis Mount
Paket / Durum E2
Tedarikçi Aygıt Paketi E2

ilgili ürünler

Tüm ürünler