IPB60R600C6

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263
IPB60R600C6 P1
IPB60R600C6 P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Infineon Technologies ~ IPB60R600C6

Parça numarası
IPB60R600C6
Üretici firma
Infineon Technologies
Açıklama
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- IPB60R600C6 PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tekli
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası IPB60R600C6
Parça Durumu Active
FET Tipi N-Channel
teknoloji MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 600V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 7.3A (Tc)
Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.5nC @ 10V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 100V
Vgs (Maks.) ±20V
FET Özelliği -
Güç Dağılımı (Maks.) 63W (Tc)
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 2.4A, 10V
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi Surface Mount
Tedarikçi Aygıt Paketi PG-TO263-2
Paket / Durum TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

ilgili ürünler

Tüm ürünler