IPB60R120P7ATMA1

MOSFET N-CH TO263-3
IPB60R120P7ATMA1 P1
IPB60R120P7ATMA1 P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Infineon Technologies ~ IPB60R120P7ATMA1

Parça numarası
IPB60R120P7ATMA1
Üretici firma
Infineon Technologies
Açıklama
MOSFET N-CH TO263-3
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- IPB60R120P7ATMA1 PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tekli
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası IPB60R120P7ATMA1
Parça Durumu Active
FET Tipi N-Channel
teknoloji MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 650V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 26A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 410µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Vgs (Maks.) ±20V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 1544pF @ 400V
FET Özelliği -
Güç Dağılımı (Maks.) 95W (Tc)
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi Surface Mount
Tedarikçi Aygıt Paketi D²PAK (TO-263AB)
Paket / Durum TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

ilgili ürünler

Tüm ürünler