IPB034N06N3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
IPB034N06N3GATMA1 P1
IPB034N06N3GATMA1 P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Infineon Technologies ~ IPB034N06N3GATMA1

Parça numarası
IPB034N06N3GATMA1
Üretici firma
Infineon Technologies
Açıklama
MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
IPB034N06N3GATMA1.pdf IPB034N06N3GATMA1 PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tekli
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası IPB034N06N3GATMA1
Parça Durumu Obsolete
FET Tipi N-Channel
teknoloji MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 60V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 100A (Tc)
Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 93µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 11000pF @ 30V
Vgs (Maks.) ±20V
FET Özelliği -
Güç Dağılımı (Maks.) 167W (Tc)
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 3.4 mOhm @ 100A, 10V
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj tipi Surface Mount
Tedarikçi Aygıt Paketi PG-TO263-7
Paket / Durum TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

ilgili ürünler

Tüm ürünler