IPB016N06L3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
IPB016N06L3GATMA1 P1
IPB016N06L3GATMA1 P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Infineon Technologies ~ IPB016N06L3GATMA1

Parça numarası
IPB016N06L3GATMA1
Üretici firma
Infineon Technologies
Açıklama
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- IPB016N06L3GATMA1 PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tekli
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası IPB016N06L3GATMA1
Parça Durumu Active
FET Tipi N-Channel
teknoloji MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 60V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 1.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 196µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 166nC @ 4.5V
Vgs (Maks.) ±20V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 28000pF @ 30V
FET Özelliği -
Güç Dağılımı (Maks.) 250W (Tc)
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj tipi Surface Mount
Tedarikçi Aygıt Paketi PG-TO263-7
Paket / Durum TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

ilgili ürünler

Tüm ürünler