Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | MSRT250160(A) |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| Diyot Konfigürasyonu | 1 Pair Common Cathode |
| Diyot Türü | Standard |
| Gerilim - DC Geri (Vr) (Maks) | 1600V |
| Akım - Ortalama Doğrultulmuş (Io) (Diyot Başına) | 250A (DC) |
| Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ If | 1.2V @ 250A |
| hız | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Geri Tutma Süresi (trr) | - |
| Akım - Geriye Ters Kaçak @ Vr | 15µA @ 600V |
| Çalışma Sıcaklığı - Bağlantı | -55°C ~ 150°C |
| Montaj tipi | Chassis Mount |
| Paket / Durum | Three Tower |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | Three Tower |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSRT200100(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER | 0 | ayrıntılar | |
 |
MSRT200100(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER | 0 | ayrıntılar | |
 |
MSRT200120(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.2KV 200A 3TOWER | 0 | ayrıntılar | |
 |
MSRT200120(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER | 0 | ayrıntılar | |
 |
MSRT200140(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.4KV 200A 3TOWER | 0 | ayrıntılar | |
 |
MSRT200140(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER | 0 | ayrıntılar | |
 |
MSRT200160(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER | 0 | ayrıntılar | |
 |
MSRT200160(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER | 0 | ayrıntılar | |
 |
MSRT20060(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER | 0 | ayrıntılar | |
 |
MSRT20060(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER | 0 | ayrıntılar | |
 |
MSRT20080(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 800V 200A 3TOWER | 0 | ayrıntılar | |
 |
MSRT20080(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER | 0 | ayrıntılar |