KBJ2506G

DIODE BRIDGE 600V 25A KBJ
KBJ2506G P1
KBJ2506G P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

GeneSiC Semiconductor ~ KBJ2506G

Parça numarası
KBJ2506G
Üretici firma
GeneSiC Semiconductor
Açıklama
DIODE BRIDGE 600V 25A KBJ
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
KBJ2506G.pdf KBJ2506G PDF online browsing
Aile
Diyotlar - Köprü Doğrultucular
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası KBJ2506G
Parça Durumu Active
Diyot Türü Single Phase
teknoloji Standard
Gerilim - Tepe Geriye (Maks) 600V
Akım - Ortalama Düzeltilmiş (Io) 25A
Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ If 1.05V @ 12.5A
Akım - Geriye Ters Kaçak @ Vr 10µA @ 600V
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 125°C (TJ)
Montaj tipi Through Hole
Paket / Durum 4-SIP, KBJ
Tedarikçi Aygıt Paketi KBJ

ilgili ürünler

Tüm ürünler