GC08MPS12-252

SIC DIODE 1200V 8A TO-252-2
GC08MPS12-252 P1
GC08MPS12-252 P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

GeneSiC Semiconductor ~ GC08MPS12-252

Parça numarası
GC08MPS12-252
Üretici firma
GeneSiC Semiconductor
Açıklama
SIC DIODE 1200V 8A TO-252-2
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- GC08MPS12-252 PDF online browsing
Aile
Diyotlar - Doğrultucular - Tek
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası GC08MPS12-252
Parça Durumu Active
Diyot Türü Silicon Carbide Schottky
Gerilim - DC Geri (Vr) (Maks) 1200V
Akım - Ortalama Düzeltilmiş (Io) 40A (DC)
Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ If 1.8V @ 8A
hız No Recovery Time > 500mA (Io)
Geri Tutma Süresi (trr) 0ns
Akım - Geriye Ters Kaçak @ Vr 7µA @ 1200V
Kapasitans @ Vr, F 545pF @ 1V, 1MHz
Montaj tipi Surface Mount
Paket / Durum TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tedarikçi Aygıt Paketi TO-252-2
Çalışma Sıcaklığı - Bağlantı -55°C ~ 175°C

ilgili ürünler

Tüm ürünler