DMG9N65CT

MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
DMG9N65CT P1
DMG9N65CT P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Diodes Incorporated ~ DMG9N65CT

Parça numarası
DMG9N65CT
Üretici firma
Diodes Incorporated
Açıklama
MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- DMG9N65CT PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tekli
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası DMG9N65CT
Parça Durumu Active
FET Tipi N-Channel
teknoloji MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 650V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 9A (Tc)
Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 2310pF @ 25V
Vgs (Maks.) ±30V
FET Özelliği -
Güç Dağılımı (Maks.) 165W (Tc)
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 1.3 Ohm @ 4.5A, 10V
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi Through Hole
Tedarikçi Aygıt Paketi TO-220AB
Paket / Durum TO-220-3

ilgili ürünler

Tüm ürünler