Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | KBU3508-G |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| Diyot Türü | Single Phase |
| teknoloji | Standard |
| Gerilim - Tepe Geriye (Maks) | 800V |
| Akım - Ortalama Düzeltilmiş (Io) | 4.2A |
| Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ If | 1.1V @ 17.5A |
| Akım - Geriye Ters Kaçak @ Vr | 10µA @ 800V |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 125°C (TJ) |
| Montaj tipi | Through Hole |
| Paket / Durum | 4-SIP, KBU |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | KBU |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
KBU10005 | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 50V 10A KBU | 0 | ayrıntılar | |
 |
KBU10005-G | Comchip Technology | RECT BRIDGE CELL 50V 10A KBU | 0 | ayrıntılar | |
|
KBU1001 | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 100V 10A KBU | 0 | ayrıntılar | |
|
KBU1001-G | Comchip Technology | RECTIFIER BRIDGE 10A 100V KBU | 0 | ayrıntılar | |
|
KBU1001G T0 | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A KBU | - | 64240 | ayrıntılar |
|
KBU1001G T0G | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A KBU | - | 13107 | ayrıntılar |
|
KBU1002 | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 200V 10A KBU | 0 | ayrıntılar | |
|
KBU1002-G | Comchip Technology | RECTIFIER BRIDGE 10A 200V KBU | 0 | ayrıntılar | |
|
KBU1002G T0 | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 100V 10A KBU | - | 64240 | ayrıntılar |
|
KBU1002G T0G | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 100V 10A KBU | - | 13107 | ayrıntılar |
|
KBU1003G T0 | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 200V 10A KBU | - | 64240 | ayrıntılar |
|
KBU1003G T0G | Taiwan Semiconductor Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 200V 10A KBU | - | 13104 | ayrıntılar |