IMD10AT108

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
IMD10AT108 P1
IMD10AT108 P2
IMD10AT108 P1
IMD10AT108 P2
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Rohm Semiconductor ~ IMD10AT108

номер части
IMD10AT108
производитель
Rohm Semiconductor
Описание
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IMD10AT108.pdf IMD10AT108 PDF online browsing
семья
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IMD10AT108
Статус детали Active
Тип транзистора 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100mA, 500mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 50V
Резистор - основание (R1) (Ом) 10k, 100
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом) 10k
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) 500nA
Частота - переход 250MHz, 200MHz
Мощность - макс. 300mW
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол SC-74, SOT-457
Пакет устройств поставщика SMT6

сопутствующие товары

Все продукты