IMD10AT108

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
IMD10AT108 P1
IMD10AT108 P2
IMD10AT108 P1
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Rohm Semiconductor ~ IMD10AT108

Número de pieza
IMD10AT108
Fabricante
Rohm Semiconductor
Descripción
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IMD10AT108.pdf IMD10AT108 PDF online browsing
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, prepolarizados
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Número de pieza IMD10AT108
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA, 500mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 10k, 100
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) 10k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Corriente - corte de colector (máximo) 500nA
Frecuencia - Transición 250MHz, 200MHz
Potencia - Max 300mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SC-74, SOT-457
Paquete de dispositivo del proveedor SMT6

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