EMD29T2R

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6
EMD29T2R P1
EMD29T2R P2
EMD29T2R P1
EMD29T2R P2
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Rohm Semiconductor ~ EMD29T2R

номер части
EMD29T2R
производитель
Rohm Semiconductor
Описание
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
EMD29T2R.pdf EMD29T2R PDF online browsing
семья
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части EMD29T2R
Статус детали Active
Тип транзистора 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100mA, 500mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 50V, 12V
Резистор - основание (R1) (Ом) 1k, 10k
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом) 10k
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) 500nA
Частота - переход 250MHz, 260MHz
Мощность - макс. 120mW
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол SOT-563, SOT-666
Пакет устройств поставщика EMT6

сопутствующие товары

Все продукты