| номер части | EMD12FHAT2R |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип транзистора | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 100mA |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | - |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Ток - отсечка коллектора (макс.) | - |
| Частота - переход | 250MHz |
| Мощность - макс. | 150mW |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | SOT-563, SOT-666 |
| Пакет устройств поставщика | EMT6 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
EMD12FHAT2R | Rohm Semiconductor | PNPNPN DIGITAL TRANSISTOR CORR | - | 1120070 | подробности |
 |
EMD12T2R | Rohm Semiconductor | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | 0 | подробности |
