MMBFJ177_G

INTEGRATED CIRCUIT
MMBFJ177_G P1
MMBFJ177_G P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

ON Semiconductor ~ MMBFJ177_G

номер части
MMBFJ177_G
производитель
ON Semiconductor
Описание
INTEGRATED CIRCUIT
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- MMBFJ177_G PDF online browsing
семья
Транзисторы - JFET
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части MMBFJ177_G
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора P-Channel
Напряжение - пробой (V (BR) GSS) 30V
Слив к источнику напряжения (Vdss) -
Текущий - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) 1.5mA @ 15V
Текущий слив (Id) - Макс. -
Напряжение - обрезание (VGS выключено) @ Id 800mV @ 10nA
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds -
Сопротивление - RDS (Вкл.) -
Мощность - макс. 225mW
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет устройств поставщика SOT-23-3

сопутствующие товары

Все продукты