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BOM

MMBFJ177_G

INTEGRATED CIRCUIT
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - JFET › MMBFJ177_G
MMBFJ177_G P1
MMBFJ177_G P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

ON Semiconductor ~ MMBFJ177_G

品番
MMBFJ177_G
メーカー
ON Semiconductor
説明
INTEGRATED CIRCUIT
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- MMBFJ177_G PDF online browsing
家族
トランジスタ - JFET
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製品パラメータ

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品番 MMBFJ177_G
部品ステータス Obsolete
FETタイプ P-Channel
電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS） 30V
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） -
電流 - ドレイン（Idss）Vds（Vgs = 0） 1.5mA @ 15V
電流ドレイン（Id） - 最大 -
電圧 - カットオフ（VGSオフ）@ Id 800mV @ 10nA
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds -
抵抗 - RDS（オン） -
電力 - 最大 225mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3

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