| номер части | PSMN1R0-25YLDX |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 25V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 100A |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 71.8nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 5308pF @ 12V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | Schottky Diode (Body) |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 160W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 0.89 mOhm @ 25A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | LFPAK56, Power-SO8 |
| Упаковка / чехол | SC-100, SOT-669 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN102-200Y,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK | 0 | подробности | |
 |
PSMN130-200D,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 20A DPAK | 0 | подробности | |
 |
PSMN165-200K,518 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1 | 0 | подробности | |
 |
PSMN1R0-25YLDX | Nexperia USA Inc. | PSMN1R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 | 1500 | подробности | |
 |
PSMN1R0-30YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | 3000 | подробности | |
 |
PSMN1R0-30YLDX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | 0 | подробности | |
 |
PSMN1R0-40ULDX | Nexperia USA Inc. | PSMN1R0-40ULD/SOT1023/4 LEADS | - | 57349 | подробности |
 |
PSMN1R0-40YLDX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK | 0 | подробности | |
 |
PSMN1R1-25YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | 4500 | подробности | |
 |
PSMN1R1-30EL,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK | 4823 | подробности | |
 |
PSMN1R1-30PL,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB | 4260 | подробности | |
 |
PSMN1R1-40BS,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | 0 | подробности |
