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| Número de pieza | PSMN1R0-25YLDX |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 71.8nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5308pF @ 12V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | Schottky Diode (Body) |
| Disipación de potencia (Máx) | 160W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.89 mOhm @ 25A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | LFPAK56, Power-SO8 |
| Paquete / caja | SC-100, SOT-669 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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PSMN102-200Y,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK | 0 | Detalles | |
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PSMN130-200D,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 20A DPAK | 0 | Detalles | |
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PSMN165-200K,518 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1 | 0 | Detalles | |
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PSMN1R0-25YLDX | Nexperia USA Inc. | PSMN1R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 | 1500 | Detalles | |
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PSMN1R0-30YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | 3000 | Detalles | |
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PSMN1R0-30YLDX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | 0 | Detalles | |
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PSMN1R0-40ULDX | Nexperia USA Inc. | PSMN1R0-40ULD/SOT1023/4 LEADS | - | 57349 | Detalles |
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PSMN1R0-40YLDX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK | 0 | Detalles | |
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PSMN1R1-25YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | 4500 | Detalles | |
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PSMN1R1-30EL,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK | 4823 | Detalles | |
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PSMN1R1-30PL,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB | 4260 | Detalles | |
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PSMN1R1-40BS,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | 0 | Detalles |