IRF200P223

MOSFET IFX OPTIMOS TO247
IRF200P223 P1
IRF200P223 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IRF200P223

номер части
IRF200P223
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET IFX OPTIMOS TO247
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IRF200P223.pdf IRF200P223 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IRF200P223
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 200V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 100A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 102nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 5094pF @ 50V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 313W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 11.5 mOhm @ 60A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика TO-247AC
Упаковка / чехол TO-247-3

сопутствующие товары

Все продукты