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| Número de pieza | IRF200P223 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 102nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5094pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 313W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 60A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247AC |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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IRF200B211 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB | 2858 | Detalles | |
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IRF200P222 | Infineon Technologies | MOSFET IFX OPTIMOS TO247 | 0 | Detalles | |
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IRF200P223 | Infineon Technologies | MOSFET IFX OPTIMOS TO247 | 0 | Detalles | |
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IRF200S234 | Infineon Technologies | TRENCH_MOSFETS | - | 0 | Detalles |
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IRF2204LPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 170A TO-262 | 0 | Detalles | |
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IRF2204PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 210A TO-220AB | 1277 | Detalles | |
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IRF2204SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 170A D2PAK | 4842 | Detalles | |
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IRF24ER100K | Vishay Dale | IRF-24 10 10 ER E3 | - | 686043 | Detalles |
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IRF24ER101K | Vishay Dale | IRF-24 100 10 ER E3 | - | 686043 | Detalles |
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IRF24ER102K | Vishay Dale | IRF-24 1K 10 ER E3 | - | 686043 | Detalles |
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IRF24ER120K | Vishay Dale | IRF-24 12 10 ER E3 | - | 686043 | Detalles |
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IRF24ER121K | Vishay Dale | IRF-24 120 10 ER E3 | - | 686043 | Detalles |