Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ BSC030P03NS3 G

номер части	BSC030P03NS3 G
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	25.4A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.1V @ 345µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	186nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	14000pF @ 15V
Vgs (Макс.)	±25V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.5W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	3 mOhm @ 50A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TDSON-8
Упаковка / чехол	8-PowerTDFN

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
BSC030N03LSGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8	-	20000	подробности
BSC030N03MSGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8	-	5000	подробности
BSC030N04NSGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8	-	10000	подробности
BSC030N08NS5ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON		0	подробности
BSC030P03NS3 G	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8	-	50000	подробности
BSC030P03NS3GAUMA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8	-	50346	подробности
BSC031N06NS3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8	-	35000	подробности
BSC032N03S	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8		0	подробности
BSC032N03SG	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8		0	подробности
BSC032N04LSATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 21A 8TDSON		0	подробности
BSC032NE2LSATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 22A TDSON-8	-	0	подробности
BSC034N03LSGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8	-	5000	подробности