BSC030P03NS3 G

MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8
BSC030P03NS3 G P1
BSC030P03NS3 G P1
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Infineon Technologies ~ BSC030P03NS3 G

Número de pieza
BSC030P03NS3 G
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- BSC030P03NS3 G PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza BSC030P03NS3 G
Estado de la pieza Active
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.1V @ 345µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 186nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 14000pF @ 15V
Vgs (Max) ±25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 mOhm @ 50A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TDSON-8
Paquete / caja 8-PowerTDFN

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