SQJ504EP-T1_GE3

MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-
SQJ504EP-T1_GE3 P1
SQJ504EP-T1_GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SQJ504EP-T1_GE3

부품 번호
SQJ504EP-T1_GE3
제조사
Vishay Siliconix
기술
MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
- SQJ504EP-T1_GE3 PDF online browsing
가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
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제품 매개 변수

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부품 번호 SQJ504EP-T1_GE3
부품 상태 Active
FET 유형 N and P-Channel
FET 기능 Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 40V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 30A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 7.5 mOhm @ 8A, 10V, 17 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 30nC @ 10V, 85nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V
전력 - 최대 34W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8 Dual
공급 업체 장치 패키지 PowerPAK® SO-8 Dual

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